IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)

절연 게이트 형 바이폴라 트랜지스터로

파워반도체의 일종으로 대전력 고속스위칭이 가능하다.

IGBT는 MOSFET과 BJT(바이폴라트랜지스터)를 복합화한 것으로 MOSFET과 BJT의 장점만을 이용하기 위해 개발된 소자이다.

MOSFET는 입력임피던스가 높아 스위칭속도가 빠른 장점이 있으나 고내압이 되면 ON저항이 커지는 결점이 있다.

한편, 바이폴라트랜지스터는 고내압에서도 ON저항이 낮은 이점이 있으나 입력임피던스가 낮아 스위칭속도가 늦은 결점을 가지고 있다.

따라서 IGBT는 각각의 결점을 보완하여 입력임피던스가

높아 스위칭속도가 빠르고, 고내압에서도 저항이 작은 소자이다. 단, IGBT는 turn off시간이 긴 결점이 있다.

IGBT는 N채널형과 P채널형이 있으며

전압제어형소자로  게이트 인가전압에 의해 콜렉터전류를 제어한다.

N채널형은 정의 전압을 케이트에 인가하면 콜렉터(C)에서

이미터(E)로 콜렉터전류가 흐른다.

P채널은 부의 전압을 게이트에 인가하면 이미터(E)에서

콜렉터(C)로 콜렉터전류가 흐른다.